O se tasi o mea sili ona taua o se modulator opitika o lona saoasaoa faʻaleleia poʻo le bandwidth, lea e tatau ona sili atu le vave e pei o le eletise avanoa. Transistors o loʻo i ai laina feʻaveaʻi i luga aʻe o le 100 GHz ua uma ona faʻaalia i le 90 nm tekinolosi silicon, ma o le a faʻateleina le saoasaoa pe a faʻaititia le laʻititi laʻititi [1]. Ae ui i lea, o le bandwidth o le taimi nei e faʻatatau i le silicon modulators e faʻatapulaʻa. Silicon e leai se χ(2) -nonlinearity ona o lona fausaga tioata centro-symmetric. O le fa'aogaina o le silikoni fa'amalosi ua ta'ita'ia ai i'uga mata'ina ua leva [2], peita'i e le'i fa'atagaina e le laina laina mo masini fa'atino. Fa'aonaponei silicon photonic modulators o lea e fa'alagolago pea i le ta'ape fua-aveina i pn po'o pine junctions [3-5]. O feso'ota'iga fa'aituau i luma ua fa'aalia e fa'aalia ai se oloa umi-volti e maualalo e pei o le VπL = 0.36 V mm, ae o le saoasaoa o le fa'aogaina e fa'atapula'aina e le malosi o le au ta'avale laiti. Ae ui i lea, o fua faatatau o faʻamatalaga o le 10 Gbit / s ua faʻatupuina ma le fesoasoani a le faʻamuamua o le faʻailoga eletise [4]. I le faʻaaogaina o fesoʻotaʻiga faʻaituau faʻaituau nai lo, o le bandwidth ua faʻateleina i le tusa ma le 30 GHz [5,6], ae o le eletise umi na tulaʻi i VπL = 40 V mm. O le mea e leaga ai, o ia plasma effect phase modulators e maua mai ai foi le faʻaogaina o le malosi [7], ma latou te tali atu e aunoa ma se laina i le voltage faʻaogaina. O faʻasologa faʻasolosolo faʻapitoa e pei o le QAM e manaʻomia, peitaʻi, o se tali laina ma le faʻaogaina o vaega mama, e faʻaogaina ai le faʻaogaina o le eletise-optic (Pockels effect [8]) e sili ona manaʻomia.
2. SOH auala
Talu ai nei, o le silicon-organic hybrid (SOH) auala na fautuaina [9-12]. O se faʻataʻitaʻiga o se SOH modulator o loʻo faʻaalia i le Ata 1 (a). O lo'o iai se ta'iala galu e ta'ita'ia ai le va'a fa'amata, ma fasi kasa e lua e fa'afeso'ota'i fa'ale-eletise le ta'iala fa'amata'u i u'amea. O eletise o loʻo tu i fafo atu o le auala faʻapitoa e aloese ai mai le gau [13], Ata 1 (b). O lo'o fa'apipi'iina le masini i se mea fa'aeletise-optic organic mea e fa'atumu tutusa ai le avanoa. O le voltage fa'atulagaina o lo'o feavea'i e le ta'iala fa'aeletise u'amea ma pa'u ifo i luga o le avanoa fa'afetai i fasi pepa silikoni. O le mea e maua ai le eletise e suia ai le faasinoupu o le refraction i totonu o le slot e ala i le ultra-fast electro-optic effect. Talu ai o le slot e i ai le lautele i le faasologa o le 100 nm, o nai volts e lava e gaosia ai fanua modulating malosi tele lea o loʻo i le faasologa o le tele o le malosi dielectric o le tele o mea. O le fausaga o loʻo i ai le maualuga o le faʻaogaina o le faʻaogaina talu ai o loʻo faʻapipiʻi uma le faʻaogaina ma le mata i totonu o le slot, Ata 1 (b) [14]. O le mea moni, o faʻataʻitaʻiga muamua a le SOH modulators ma le faʻaogaina o le sub-volt [11] ua uma ona faʻaalia, ma o le sinusoidal modulation e oʻo atu i le 40 GHz na faʻaalia [15,16]. Ae ui i lea, o le lu'itau i le fausiaina o SOH modulators-maualalo-maualalo maualuga-saosaoa o le fatuina lea o se laina feso'ota'i maualuga. I se ta'amilosaga tutusa o le slot e mafai ona fa'atusalia e se capacitor C ma le ta'avale ta'avale e tete'e R, Ata 1(b). Ole taimi ole RC tutusa e fuafua ai le bandwidth ole masini [10,14,17,18]. Ina ia faʻaitiitia le teteʻe R, ua fautuaina e faʻapipiʻi fasi pepa silicon [10,14]. Aʻo faʻateleina e le doping le faʻaogaina o fasi pepa silikoni (ma o le mea lea e faʻateleina ai le gau), e totogi e se tasi se faʻasalaga faʻaalu faaopoopo ona o le eletise eletise e faʻaleagaina e ala i le faʻasalalauina o le eleelea [10,14,19]. E le gata i lea, o taumafaiga faufau aupito lata mai na fa'aalia ai le maualalo o le conductivity.
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Taimi meli: Mati-29-2023