Fa'atusatusaga o faiga o meafaitino o le matagaluega tu'ufa'atasia o le photonic

Fa'atusatusaga o faiga o meafaitino o le matagaluega tu'ufa'atasia o le photonic
O loʻo faʻaalia i le Ata 1 se faʻatusatusaga o faiga meafaitino e lua, indium Phosphorus (InP) ma le silicon (Si). O le seasea o le indium e avea ai le InP ma mea e sili atu ona taugata nai lo le Si. Talu ai ona o matagaluega faʻavae i le silicon e itiiti le tuputupu aʻe o le epitaxial, o le fua o matagaluega faʻavae i le silicon e masani ona maualuga atu nai lo matagaluega InP. I matagaluega faʻavae i le silicon, o le germanium (Ge), lea e masani ona faʻaaogaina iMea e iloa ai ata(masini e iloa ai le malamalama), e manaʻomia ai le tuputupu aʻe epitaxial, ae i totonu o faiga InP, e oʻo lava i taʻiala galu e le gaoioi e tatau ona saunia e ala i le tuputupu aʻe epitaxial. O le tuputupu aʻe epitaxial e masani ona i ai se maualuga maualuga o le defect density nai lo le tuputupu aʻe o le tioata e tasi, e pei o le mai se crystal ingot. O taʻiala galu InP e maualuga le refractive index contrast i le transverse, ae o taʻiala galu e faʻavae i le silicon e maualuga le refractive index contrast i le transverse ma le longitudinal, lea e mafai ai e masini faʻavae i le silicon ona ausia ni radii piʻo laiti ma isi fausaga e sili atu ona laʻititi. O le InGaAsP e iai se band gap tuusaʻo, ae leai Si ma Ge. O se taunuuga, o faiga o meafaitino InP e sili atu i tulaga o le laser efficiency. O intrinsic oxides o faiga InP e le o mautu ma malolosi e pei o intrinsic oxides o le Si, silicon dioxide (SiO2). O le Silicon o se mea e sili atu le malosi nai lo le InP, e mafai ai ona faʻaaogaina ni wafer tetele, e pei o le 300 mm (e le o toe umi ae faʻaleleia i le 450 mm) pe a faʻatusatusa i le 75 mm i le InP. InPmasini fa'atonutonue masani ona faalagolago i le aafiaga o le quantum-confined Stark, lea e maaleale i le vevela ona o le gaioiga o le pito o le fusi e mafua mai i le vevela. I se faatusatusaga, o le faalagolago i le vevela o modulators e faavae i le silicon e matua laitiiti lava.

O le tekinolosi o le Silicon photonics e masani ona manatu e talafeagai mo oloa taugofie, pu'upu'u le tau, ma tele le tele (e silia ma le 1 miliona fasi pepa i le tausaga). E mafua ona ua talia lautele e mana'omia se tele o le gafatia o le wafer e fa'asalalau ai tau o le ufimata ma le atina'eina, ma o lena meatekinolosi photonics silicone iai ni faʻaletonu tetele i le faʻatinoga i faʻaoga oloa mai le tasi aai i le isi aai i le itumalo ma femalagaaiga mamao. Peitaʻi, o le mea moni, e moni le faafeagai. I faʻaoga taugofie, puʻupuʻu, ma maualuga le fua, o le vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) maleisa fa'atonutonu tu'usa'o (Leisa DML) : o le laser fa'atonutonu sa'o e mafua ai se mamafa tele o le tauvaga, ma o le vaivai o le tekonolosi photonic e fa'avae i le silicon lea e le faigofie ona tu'ufa'atasia lasers ua avea ma se fa'aletonu tele. I se fa'atusatusaga, i metro, fa'aoga mamao, ona o le fiafia i le tu'ufa'atasia o le tekonolosi photonics silicon ma le fa'agasologa fa'ailoilo numera (DSP) fa'atasi (lea e masani ona i ai i siosiomaga vevela maualuga), e sili atu le aoga o le vavae'eseina o le laser. E le gata i lea, o le tekinolosi iloa e mafai ona fa'aleleia ai mea sese o le tekonolosi photonics silicon i se tulaga tele, e pei o le fa'afitauli o le tafe pogisa e la'ititi tele nai lo le tafe o le photocurrent oscillator i le lotoifale. I le taimi lava e tasi, e sese fo'i le manatu o le tele o le gafatia o le wafer e mana'omia e totogi ai tau o le ufimata ma le atina'eina, aua o le tekinolosi photonics silicon e fa'aogaina ai le tele o node e sili atu le tele nai lo semiconductors oxide metal complementary (CMOS) sili ona alualu i luma, o lea e taugofie ai ufimata mana'omia ma le gaosiga.