Filifiliga o le puna lelei o le laser: leisa semiconductor emission pito Vaega Muamua

Filifiliga o le mea sili ona leleipuna o leisa: leisa semiconductor e fa'asalalauina ai pito
1. Fa'atomuaga
Leisa semiconductorO fasipepa e vaevaeina i ni fasipepa laser e fa'amumuina ai le pito (EEL) ma ni fasipepa laser e fa'amumuina ai le pito i luga (VCSEL) e tusa ai ma faiga eseese o gaosiga o resonators, ma o latou eseesega fa'atulagaina fa'apitoa o lo'o fa'aalia i le Ata 1. Pe a fa'atusatusa i le laser e fa'amumuina ai le pito i luga, o le atina'eina o tekinolosi laser semiconductor e fa'amumuina ai le pito ua sili atu ona matua, fa'atasi ai ma se lautele o le wavelength, maualuga.eletise-optikalelei o le liua, tele le malosi ma isi fa'amanuiaga, e matua talafeagai lava mo le fa'agasologa o le laser, feso'ota'iga opitika ma isi matā'upu. I le taimi nei, o le laser semiconductor edge-emitting o se vaega taua o le alamanuia optoelectronics, ma o latou fa'aoga ua aofia ai alamanuia, feso'ota'iga, saienisi, tagata fa'atau, militeri ma le va'alele. Fa'atasi ai ma le atina'eina ma le alualu i luma o tekinolosi, o le malosi, fa'atuatuaina ma le lelei o le liua o le malosi o le laser semiconductor edge-emitting ua matua fa'aleleia atili, ma o latou fa'amoemoega fa'aoga ua fa'ateleina pea.
O le isi, o le a ou taʻitaʻia oe e te talisapaia atili le matagofie tulaga ese o le side-emittinglasers semiconductor.

Ata 1 (agavale) le itu e fa'asalalauina ai le laser semiconductor ma le (taumatau) le ata o le fausaga o le laser e fa'asalalauina ai le fogā'ele'ele tu sa'o.

2. Mataupu faavae o le fa'agaoioiga o le semiconductor e fa'asalalauina ai pitoleisa
E mafai ona vaevaeina le fausaga o le laser semiconductor edge-emitting i vaega nei e tolu: vaega malosi o le semiconductor, puna o le pamu ma le resonator opitika. E ese mai resonators o lasers e fa'asalalauina ai le fogafale tu sa'o (lea e aofia ai fa'ata Bragg pito i luga ma lalo), o resonators i masini laser semiconductor edge-emitting e tele lava ina aofia ai ata opitika i itu uma e lua. O le fausaga masani o le masini EEL ma le fausaga o le resonator o lo'o fa'aalia i le Ata 2. O le photon i le masini laser semiconductor edge-emission e fa'ateleina e ala i le filifiliga o le mode i le resonator, ma o le laser e fausia i le itu e tutusa ma le fogafale o le substrate. O masini laser semiconductor edge-emitting e iai le tele o galu fa'agaioiga ma e talafeagai mo le tele o fa'aoga aoga, o lea e avea ai ma se tasi o puna laser sili ona lelei.

O fa'ailoga o le iloiloga o le fa'atinoga o le lasers semiconductor edge-emitting e ogatusa fo'i ma isi lasers semiconductor, e aofia ai: (1) le umi o le galu o le laser; (2) le tafe o le threshold Ith, o lona uiga, o le tafe lea e amata ai ona fa'atupuina e le diode laser le oscillation laser; (3) le tafe o le galuega Iop, o lona uiga, o le tafe o le ta'avale pe a o'o atu le diode laser i le malosiaga fa'atulagaina, o lenei parakalafa e fa'aoga i le mamanu ma le fa'atonutonuina o le matagaluega o le laser drive; (4) le lelei o le fa'ase'e; (5) le tulimanu fa'atulagaina o le divergence θ⊥; (6) le tulimanu fa'atulagaina o le divergence θ∥; (7) Mata'ituina le tafe o le Im, o lona uiga, o le tele o le tafe o le laser chip semiconductor i le malosiaga fa'atulagaina o le tafe.

3. Su'esu'ega alualu i luma o le GaAs ma le GaN based edge emitting semiconductor lasers
O le laser semiconductor e faʻavae i luga o le mea semiconductor GaAs o se tasi lea o tekinolosi laser semiconductor sili ona matua. I le taimi nei, o le GAAS-based near-infrared band (760-1060 nm) edge-emitting semiconductor lasers ua faʻaaogaina lautele i pisinisi. I le avea ai ma mea semiconductor tupulaga lona tolu pe a uma le Si ma le GaAs, ua lauiloa tele le GaN i suʻesuʻega faasaienisi ma pisinisi ona o ona uiga lelei faaletino ma vailaʻau. Faatasi ai ma le atinaʻeina o masini optoelectronic e faʻavae i luga o le GAN ma taumafaiga a le au suʻesuʻe, ua faʻalauteleina ai le GAN-based light-emitting diodes ma edge-emitting lasers.