Filifiliga O Punavai Leisa Lelei: Edge Emission Semiconductor Laser Vaega Lua

Filifiliga LeleiPunavai Laser: Fa'asa'oga pitoSemiconductor LaserVaega Lua

4. Tulaga fa'aoga o laisa semiconductor pito
Ona o le lautele o le galu ma le malosi maualuga, o le pito-emitting semiconductor lasers ua faʻaaogaina lelei i le tele o matata e pei o taʻavale, fesoʻotaʻiga mata maleisatogafitiga faafomai. E tusa ai ma le Yole Developpement, o se ofisa suʻesuʻe maketi lauiloa faʻavaomalo, o le maketi laser pito-i-emit o le a tupu i le $ 7.4 piliona i le 2027, faʻatasi ai ma le aofaʻi o le tuputupu aʻe faaletausaga o le 13%. O lenei tuputupu aʻe o le a faʻaauau pea ona faʻamalosia e fesoʻotaʻiga faʻapitoa, e pei o masini faʻapipiʻi, amplifiers, ma 3D sensing talosaga mo fesoʻotaʻiga faʻamatalaga ma fesoʻotaʻiga. Mo manaoga eseese talosaga, eseese EEL fausaga mamanu mamanu ua atiina ae i totonu o le alamanuia, e aofia ai: Fabripero (FP) semiconductor lasers, tufatufaina Bragg Reflector (DBR) semiconductor lasers, pito i fafo lua lasers (ECL) semiconductor lasers, tufatufaina tali semiconductor lasers (DFB leisa), laisa semiconductor quantum cascade (QCL), ma diodes leisa lautele (BALD).

Faʻatasi ai ma le faʻateleina o manaʻoga mo fesoʻotaʻiga faʻapitoa, 3D sensing applications ma isi faʻalapotopotoga, o loʻo faʻateleina foi le manaʻoga mo lasers semiconductor. E le gata i lea, o lasers semiconductor edge-emitting ma vertical-cavity surface-emitting semiconductor lasers e faia foi se sao i le faʻatumuina o vaivaiga o le tasi i le isi i le faʻaaogaina o talosaga, e pei o:
(1) I le tulaga o fesoʻotaʻiga faʻapitoa, o le 1550 nm InGaAsP / InP Faʻasalalau Faʻamatalaga ((DFB laser) EEL ma le 1300 nm InGaAsP / InGaP Fabry Pero EEL e masani ona faʻaaogaina i le mamao o le 2 km i le 40 km ma le saoasaoa o le faʻasalalauga e oʻo atu i le 40 Gbps. fa'avae i luga ole 850 nm InGaAs ma AlGaAs o lo'o ta'uta'ua.
(2) O le faʻaogaina o le laser i luga o le pito i luga o le pito i luga o loʻo i ai le lelei o le laʻititi laʻititi ma le vaapiapi umi galu, o lea na faʻaaogaina lautele ai i le maketi eletise faʻatau, ma o le susulu ma le malosi o le faʻaogaina o lasers semiconductor e faʻaogaina ai le auala mo le faʻaogaina mamao ma le gaosiga o le malosi.
(3) E mafai ona fa'aogaina lasers semiconductor e lua mata-emitting ma le pito i luga o le pito i luga-emitting semiconductor lasers mo le liDAR pu'upu'u - ma le vaeluagalemu e ausia ai fa'aoga fa'apitoa e pei o le su'esu'eina o mea tauaso ma le alu ese o le laina.

5. Atiina'e i le lumana'i
O le pito emitting semiconductor laser o loʻo i ai le lelei o le maualuga o le faʻatuatuaina, faʻaitiitiga ma le maualuga o le malosi o le malamalama, ma e tele avanoa faʻaoga i fesoʻotaʻiga faʻapitoa, liDAR, fomaʻi ma isi matata. Ae ui i lea, e ui lava o le gaosiga o le gaosiga o le pito-emitting lasers semiconductor ua matua matutua, ina ia mafai ona ausia le faatupulaia o manaoga o alamanuia ma tagata faatau maketi mo mata-emitting lasers semiconductor, e tatau ona faaauau pea optimize le tekinolosi, faagasologa, faatinoga ma isi vaega o mata-emitting lasers semiconductor, e aofia ai: faaitiitia le density faaletonu i totonu o le wafer; Fa'aitiitia faiga fa'agasologa; Atia'e ni tekonolosi fou e sui ai le uili fa'aleaga masani ma fa'agaio'iga o le tipiina o le lau e ono tula'i mai ai fa'aletonu; Fa'amalieina le fausaga epitaxial e fa'aleleia atili ai le fa'aogaina o le laser mata-emitting; Faʻaititia le tau o le gaosiga, ma isi. E le gata i lea, ona o le moli o le faʻaogaina o le laser pito o loʻo i luga o le pito pito o le semiconductor laser chip, e faigata ona ausia le afifiina o le lapisi laʻititi, o lea e manaʻomia ai pea le faʻaogaina o le faʻaogaina o le faʻaogaina.