Filifiliga o le Punaoa Lelei o le Laser: Vaega Lua o le Edge Emission Semiconductor Laser

Filifiliga o le Mea Sili Ona LeleiPuna o le Laser: Fa'asa'olotoina o le PitoLeisa SemiconductorVaega Lua

4. Tulaga o le fa'aogaina o lasers semiconductor edge-emission
Ona o lona lautele o le wavelength ma le malosi tele, ua faʻaaogaina ma le manuia e le edge-emitting semiconductor lasers i le tele o vaega e pei o taʻavale, fesoʻotaʻiga opitika maleisatogafitiga faafoma'i. E tusa ai ma le Yole Developpement, o se ofisa su'esu'e maketi lauiloa faavaomalo, o le maketi laser edge-to-emit o le a tuputupu a'e i le $7.4 piliona i le 2027, fa'atasi ai ma le fua fa'atatau o le tuputupu a'e fa'aletausaga e 13%. O lenei tuputupu a'e o le a fa'aauau pea ona fa'atinoina e feso'ota'iga va'ai, e pei o modules va'ai, amplifiers, ma talosaga 3D sensing mo feso'ota'iga fa'amaumauga ma feso'ota'iga. Mo mana'oga fa'aoga eseese, ua atia'e ni fuafuaga mamanu fausaga EEL eseese i le alamanuia, e aofia ai: lasers semiconductor Fabripero (FP), lasers semiconductor Distributed Bragg Reflector (DBR), lasers semiconductor external cavity laser (ECL), lasers semiconductor feedback distributed (Leisa DFB), quantum cascade semiconductor lasers (QCL), ma wide area laser diodes (BALD).

Faatasi ai ma le faateleina o le manaoga mo fesootaiga vaaia, talosaga 3D sensing ma isi vaega, o loo faateleina foi le manaoga mo lasers semiconductor. E le gata i lea, o lasers semiconductor edge-emitting ma lasers semiconductor vertical-cavity surface-emitting e iai foi se sao i le faatumuina o vaivaiga o le tasi ma le isi i talosaga fou, e pei o:
(1) I le matata o feso'ota'iga fa'a-opitika, o le 1550 nm InGaAsP/InP Distributed Feedback ((DFB laser) EEL ma le 1300 nm InGaAsP/InGaP Fabry Pero EEL e masani ona fa'aaogaina i mamao o fesiitaiga mai le 2 km i le 40 km ma fua faatatau o fesiitaiga e o'o atu i le 40 Gbps. Peita'i, i le 60 m i le 300 m mamao o fesiitaiga ma saoasaoa maualalo o fesiitaiga, o VCsels e fa'avae i luga o le 850 nm InGaAs ma AlGaAs e sili ona taatele.
(2) O leisa e fa'asalalauina ai le vevela i luga o le fogā'ele'ele e iai ona lelei e pei o le la'ititi ma le vaapiapi o le galu, o lea ua fa'aaogaina lautele ai i le maketi o mea fa'aeletoronika a tagata fa'atau, ma o le pupula ma le malosi o le leisa semiconductor e fa'asalalauina ai le malamalama e saunia ai le ala mo fa'aoga o le iloa mamao ma le fa'agasologa malosi.
(3) E mafai ona fa'aaogaina laser semiconductor edge-emitting ma laser semiconductor vertical cavity surface-emitting mo le liDAR pu'upu'u ma le feololo e ausia ai ni fa'aoga fa'apitoa e pei o le iloa o nofoaga tauaso ma le alu ese o le laina.

5. Atina'e i le lumanai
O le laser semiconductor e fa'atupuina ai le pito e iai ona lelei o le maualuga o le fa'atuatuaina, fa'aitiitiga ma le maualuga o le malosi o le malamalama, ma e lautele fo'i ona fa'aoga i feso'ota'iga va'ai, liDAR, foma'i ma isi matā'upu. Peita'i, e ui lava ua matua lelei le faiga o gaosiga o laser semiconductor e fa'atupuina ai pito, ina ia fa'afetaui ai le mana'oga fa'atupula'ia o maketi tau alamanuia ma tagata fa'atau mo laser semiconductor e fa'atupuina ai pito, e tatau ona fa'aauau pea ona fa'aleleia atili le tekinolosi, faiga, fa'atinoga ma isi vaega o laser semiconductor e fa'atupuina ai pito, e aofia ai: le fa'aitiitia o le tele o mea sese i totonu o le wafer; Fa'aitiitia faiga o faiga; Atia'e ni tekinolosi fou e sui ai faiga masani o le oloina o le uili ma le tipiina o le blade wafer e faigofie ona fa'atupuina ai ni mea sese; Fa'aleleia atili le fausaga epitaxial e fa'aleleia atili ai le lelei o le laser e fa'atupuina ai pito; Fa'aitiitia tau o gaosiga, ma isi mea. E le gata i lea, ona o le malamalama o le laser e fa'atupuina ai pito o lo'o i le itu o le semiconductor laser chip, e faigata ona maua se afifiina o le chip la'ititi, o lea e mana'omia ai pea ona fa'alauteleina atili le faiga o afifiina e feso'ota'i i ai.