Fa'ailoa mai eInGaAs photodetectors
Saosaoa tele photodetectorsi le fanua o fesoʻotaʻiga faʻapitoa e aofia ai III-V InGaAs photodetectors ma IV atoatoa Si ma Ge /Si photodetectors. O le mea muamua o se tu masani e latalata i infrared detector, lea ua leva ona pulea, ae o le mea mulimuli e faalagolago i luga o tekinolosi mata tioata e avea ma fetu oso aʻe, ma o se nofoaga vevela i le fanua o suʻesuʻega optoelectronics faavaomalo i tausaga talu ai nei. E le gata i lea, o faʻamatalaga fou e faʻavae i luga o le perovskite, organic ma le lua-dimensional mea o loʻo atinaʻe vave ona o le lelei o le faʻaogaina faigofie, fetuutuunai lelei ma mea faʻaogaina. O lo'o iai le eseesega tele i le va o nei fa'amatalaga fou ma ata fa'aleaganu'u masani i meafaitino ma faiga gaosiga. O lo'o i ai i le Perovskite detectors e sili ona lelei le faʻaaogaina o le malamalama ma le lelei o le felauaiga o le gafatia, o mea faʻaola e faʻaaogaina lautele mo a latou tau maualalo ma fetuutuunai eletise, ma e lua-dimensional mea e iloagofie ua tosina atu i ai le tele o le gauai ona o latou tulaga faʻapitoa faʻaletino ma le maualuga o le feʻaveaʻi. Ae ui i lea, faʻatusatusa i InGaAs ma Si / Ge detectors, o loʻo manaʻomia pea le faʻaleleia atili o faʻamatalaga fou i tulaga o le mautu umi, gaosiga matua ma le tuʻufaʻatasia.
InGaAs o se tasi o mea sili ona lelei mo le faʻaalia o ata faʻataʻitaʻiga maualuga ma maualuga tali. Muamua lava, o InGaAs o se mea faʻapipiʻi faʻapipiʻi tuusaʻo, ma o lona lautele lautele e mafai ona faʻatonutonuina e le fua faatatau i le va o In ma Ga e ausia ai le suʻesuʻeina o faʻailoga mataʻutia o galu eseese. Faatasi ai ma i latou, In0.53Ga0.47As e fetaui lelei ma le lattice substrate o InP, ma o loʻo i ai se faʻamalama malamalama tele i le faʻaupuga fesoʻotaʻiga opitika, lea e sili ona faʻaaogaina i le sauniuniga o le.photodetectors, ma o le pogisa o le taimi nei ma le tali atu o le faatinoga e sili ona lelei. Lona lua, o mea InGaAs ma InP e maualuga uma le saosaoa fa'aeletonika, ma o latou saosaoa fa'aeletonika tumu e tusa ma le 1 × 107 cm/s. I le taimi lava e tasi, o mea InGaAs ma InP o loʻo i ai le saoasaoa o le eletise i lalo o le eletise eletise. E mafai ona vaevaeina le saoasaoa o le overshoot i le 4 × 107cm / s ma le 6 × 107cm / s, lea e faʻaogaina i le mauaina o se bandwidth faʻatapulaʻa taimi faʻatapulaʻa. I le taimi nei, o le InGaAs photodetector o le ata pito sili lea ona taua mo fesoʻotaʻiga faʻapitoa, ma o le faʻaogaina o le faʻaogaina o le auala e masani ona faʻaaogaina i le maketi, ma o le 25 Gbaud / s ma le 56 Gbaud / s ua faʻaalia oloa. Laititi laʻititi, faʻalavelave tua ma le tele o faʻamaufaʻailoga faʻapipiʻi i luga o le bandwidth ua faʻapipiʻiina foi, lea e sili ona talafeagai mo talosaga maualuga ma maualuga saturation. Ae ui i lea, o le suʻega faʻalavelave i luga e faʻatapulaʻaina i lona faʻaogaina ma e faigata ona tuʻufaʻatasia ma isi masini optoelectronic. O le mea lea, faʻatasi ai ma le faʻaleleia atili o manaʻoga tuʻufaʻatasia optoelectronic, faʻataʻitaʻiga faʻapipiʻi InGaAs photodetectors ma faʻatinoga lelei ma talafeagai mo le tuʻufaʻatasia ua faasolosolo malie lava ona avea ma taulaiga o suʻesuʻega, e aofia ai le pisinisi 70 GHz ma 110 GHz InGaAs photoprobe modules e toetoe lava o faʻaogaina uma fausaga faʻapipiʻiina. E tusa ai ma mea eseese substrate, e mafai ona vaevaeina le faʻataʻitaʻiga faʻapipiʻi InGaAs photoelectric suʻega i ni vaega se lua: InP ma Si. O mea epitaxial i luga ole InP substrate e maualuga lona lelei ma e sili atu ona talafeagai mo le saunia o masini maualuga. Ae ui i lea, o eseesega eseese i le va o mea III-V, mea InGaAs ma Si substrates ua tupu pe faʻapipiʻi i luga o Si substrates e taʻitaʻia ai le leaga o meafaitino poʻo le tulaga lelei, ma o le faʻatinoga o le masini o loʻo i ai pea se potu tele mo le faʻaleleia.
Taimi meli: Tes-31-2024