Folasaga ile Edge Emitting Laser (EEL)
Ina ia maua le eletise semiconductor eletise maualuga, o le tekinolosi o loʻo i ai nei o le faʻaogaina lea o le faʻaogaina o le faʻaogaina o le pito. O le resonator o le pito-emitting leisa semiconductor e aofia ai le natura dissociation luga o le tioata semiconductor, ma o le ave alu ese emitted mai le pito pito i luma o le laser.O le pito-emission ituaiga semiconductor leisa e mafai ona ausia ai le malosiaga maualuga, ae o lona nofoaga e maua ai e elliptical, o le lelei o le ave e le lelei, ma le faʻaogaina o le faʻailoga e manaʻomia ona faʻaogaina.
O le ata o loʻo i lalo o loʻo faʻaalia ai le fausaga o le laser semiconductor mata-emitting. O le pu o mata o le EEL e tutusa ma le pito i luga ole pusi semiconductor ma emits leisa i le pito o le pusi semiconductor, lea e mafai ona iloa ai le gaosiga leisa ma le malosi maualuga, saoasaoa maualuga ma maualalo leo. Ae ui i lea, o le laser beam e maua mai e le EEL e masani lava ona i ai se vaega faʻasolosolo faʻalava tutusa ma le tele o le angular divergence, ma o le faʻaogaina lelei ma fiber poʻo isi mea faʻapitoa e maualalo.
Ole fa'atuputeleina ole malosiaga ole EEL e fa'atapula'aina ile fa'aputuina ole vevela ile vaega malosi ma fa'aleagaina fa'apitoa ile semiconductor surface. E ala i le faʻateleina o le taʻavale e faʻaitiitia ai le faʻaputuina o le vevela i totonu o le vaega malosi e faʻaleleia ai le vevela o le vevela, faʻateleina le faʻaogaina o le malamalama e faʻaitiitia ai le malosi o le uila e aloese ai mai le faʻaleagaina, o le mana o le gaosiga e oʻo atu i le selau milliwatts e mafai ona ausia i totonu o le faʻaogaina o le taʻiala faʻasolosolo faʻasolosolo.
Mo le 100mm waveguide, e tasi le mata-emitting leisa e mafai ona ausia le sefulu o watts o le malosiaga gaosiga, ae i le taimi nei o le waveguide e matua tele-mode i luga o le vaalele o le pu, ma o le fua faʻatatau o le ave faʻailoga e oʻo atu foi i le 100: 1, e manaʻomia ai se faiga faʻapipiʻi lavelave.
I luga o le manatu e leai se mea fou fou i tekinolosi meafaitino ma tekinolosi tuputupu aʻe epitaxial, o le auala autu e faʻaleleia ai le malosi o le gaosiga o se pusi laser semiconductor o le faʻateleina lea o le lautele o le vaega malamalama o le chip. Ae ui i lea, o le faʻateleina o le lautele o le laina maualuga e faigofie ona maua ai le faʻafefe maualuga o le oscillation ma le filamentlike oscillation, lea o le a matua faʻaitiitia ai le tutusa o le malamalama, ma e le faʻateleina le malosi o le gaosiga ma le lautele o le fasi, o le mea lea e matua faʻatapulaʻaina ai le malosiaga o le pu e tasi. Ina ia faʻaleleia atili le malosi o le gaosiga, o loʻo i ai le tekonolosi faʻapipiʻi. O le tekonolosi e tuʻufaʻatasia le tele o iunite laser i luga o le mea e tasi, ina ia faʻapipiʻiina iunite faʻamalama taʻitasi e pei o se laina tasi-dimensional i le faʻagesegese axis itu, pe a faʻaaogaina le tekinolosi faʻaesea opitika e vavae ese ai moli eletise taʻitasi i le laina, ina ia latou le faʻalavelave le tasi i le isi, faia se lasing multi-aperture, e mafai ona e faʻateleina le numera o le faʻaogaina o le moli tuʻufaʻatasia e ala i le faʻateleina o le numera o le moli tuʻufaʻatasia. O lenei va'a leisa semiconductor o se va'aiga laser semiconductor (LDA), e ta'ua fo'i o se pa leisa semiconductor.
Taimi meli: Iuni-03-2024