Folasaga i le Fausaga ma le Faatinoga oAta Manifi Lithium Niobate Electro optic Modulator
An modulator eletise-optice faʻavae i luga o fausaga eseese, galu, ma faʻavae o le ata manifinifi o le lithium niobate, ma se faʻatusatusaga atoatoa o le faʻatinoga o ituaiga eseese oEOM modulators, fa'apea fo'i ma se au'ili'iliga o su'esu'ega ma le fa'aogaina ofa'atonutonu o le lithium niobate ata manifinifii isi matata.
1. Fa'asolo le ata manifinifi lithium niobate e le o se lua e fa'aalia ai le malosi o le pa'u.
O lenei ituaiga modulator e faʻavae i luga o le aafiaga lelei o le electro-optic o le lithium niobate crystal ma o se masini autu mo le ausiaina o fesoʻotaʻiga opitika maualuga ma mamao. E tolu fausaga autu:
1.1 Eletise o galu femalagaa'i MZI modulator: O le mamanu masani lea. Na muamua ausia e le vaega su'esu'e a le Lon č ar i le Iunivesite o Harvard se fa'ata'ita'iga maualuga le fa'atinoga i le 2018, fa'atasi ai ma fa'aleleiga mulimuli ane e aofia ai le capacitive loading e fa'avae i luga o substrates quartz (maualuga le bandwidth ae le fetaui ma le silicon-based) ma le silicon-based compatible e fa'avae i luga o le substrate hollowing, ma ausia ai le bandwidth maualuga (>67 GHz) ma le fa'asalalauga fa'ailo saoasaoa maualuga (e pei o le 112 Gbit/s PAM4).
1.2 MZI modulator gaugau: Ina ia faapuupuu le tele o le masini ma fetuutuunai i vaega laiti e pei o le QSFP-DD, o togafitiga polarization, cross waveguide poʻo inverted microstructure electrodes e faʻaaogaina e faʻaitiitia ai le umi o le masini i le afa ma ausia ai le bandwidth o le 60 GHz.
1.3Single/Dual Polarization Coherent Orthogonal (IQ) Modulator: Fa'aaogaina le faatulagaga maualuga o le modulation e fa'aleleia atili ai le saoasaoa o le fesiitaiga. Na ausia e le vaega su'esu'e a Cai i le Iunivesite o Sun Yat sen le uluai on-chip single polarization IQ modulator i le 2020. O le dual polarization IQ modulator na atia'e i le lumana'i e sili atu le lelei o le fa'atinoga, ma o le fa'aliliuga e fa'avae i luga o le quartz substrate ua fa'atulagaina se fa'amaumauga o le saoasaoa o le fesiitaiga o le wavelength e tasi o le 1.96 Tbit/s.
2. Fa'asolo le lithium niobate manifinifi ituaiga lua resonant
Mo le ausia o ni modulators bandwidth laiti ma tetele, o loʻo i ai ni fausaga eseese o le resonant cavity o loʻo maua:
2.1 Photonic crystal (PC) ma le micro ring modulator: Ua atiae e le vaega suʻesuʻe a Lin i le Iunivesite o Rochester le uluai photonic crystal modulator maualuga le faatinoga. E le gata i lea, ua fautuaina foi micro ring modulators e faavae i luga o le silicon lithium niobate heterogeneous integration ma le homogeneous integration, ma ausia ai bandwidths o le tele o GHz.
2.2Bragg grating resonant cavity modulator: e aofia ai le Fabry Perot (FP) cavity, waveguide Bragg grating (WBG), ma le slow light (SL) modulator. O nei fausaga ua mamanuina e paleni ai le tele, le gafatia o le faagasologa, ma le faatinoga, mo se faataitaiga, o le 2 × 2 FP resonant cavity modulator e ausia ai le bandwidth tele e sili atu i le 110 GHz. O le slow light modulator e faavae i luga o le Bragg grating ua faapipiiina e faalauteleina ai le working bandwidth range.
3. Modulator lithium niobate ata manifinifi tu'ufa'atasi eseese
E tolu auala autū e tuʻufaʻatasia ai le fetaui lelei o le tekonolosi CMOS i luga o faʻavae faʻavae i le silicon ma le faʻatinoga sili ona lelei o le modulation o le lithium niobate:
3.1 Tuufaatasiga eseese ituaiga fusi: E ala i le fusi sa'o ma le benzocyclobutene (BCB) po'o le silicon dioxide, e fa'aliliuina atu ai le lithium niobate manifinifi i se silicon po'o se silicon nitride platform, ma ausia ai le tulaga wafer, ma le maualuga o le vevela o le tuufaatasiga mautu. O le modulator e fa'aalia ai le bandwidth maualuga (>70 GHz, e o'o lava i le sili atu i le 110 GHz) ma le gafatia e fa'asalalau ai fa'ailo saoasaoa maualuga.
3.2 Tuufaatasiga eseese o meafaitino o le waveguide deposition: o le teuina o le silicon poʻo le silicon nitride i luga o le thin film lithium niobate e fai ma waveguide uta e ausia ai foʻi le lelei o le electro-optic modulation.
3.3 Fa'aputuga eseese o le Micro transfer printing (μ TP): O se tekinolosi lea e fa'amoemoe e fa'aaogaina mo le gaosiga tele, lea e fa'aliliuina ai masini galue ua uma ona fa'apipi'iina i ni chips fa'atatau e ala i masini sa'o maualuga, e 'alofia ai le faigata o le fa'agasologaina. Ua fa'aaogaina ma le manuia i le silicon nitride ma fa'avae fa'avae i le silicon, ma ausia ai le bandwidths o le sefulu o GHz.
I se aotelega, o lenei tusiga o loʻo faʻamatalaina faʻasolosolo ai le faʻafanua faʻatekonolosi o modulators electro-optic e faʻavae i luga o faʻavae manifinifi lithium niobate, mai le tulituliloaina o fausaga maualuga ma le tele o le bandwidth non resonant cavity, suʻesuʻeina o fausaga laiti o le resonant cavity, ma le tuʻufaʻatasia ma faʻavae photonic ua matua faʻavae i le silicon. O loʻo faʻaalia ai le gafatia tele ma le alualu i luma faifai pea o modulators manifinifi lithium niobate i le solia o le faʻalavelave faʻatino o modulators masani ma le ausia o fesoʻotaʻiga opitika maualuga.
Taimi na lafoina ai: Mati-31-2026