Su'esu'ega Alualu i Luma oInGaAs photo detector
Fa'atasi ai ma le fa'atupula'ia fa'ateleina o le tele o feso'ota'iga fa'amatalaga feso'ota'iga, o feso'ota'iga feso'ota'iga fa'atekonolosi ua suia fa'atekonolosi feso'ota'iga fa'aeletise masani ma ua avea ma tekonolosi fa'apitoa mo le feololo ma le mamao-maualalo-maualalo-maualalo fa'asalalau. I le avea ai ma vaega autu o le pito maua o mata, o lefa'ata'ita'i ataua fa'atupula'ia tulaga mana'omia mo lona fa'atinoga saosaoa maualuga. Faatasi ai ma i latou, o le faʻataʻitaʻiga faʻapipiʻi faʻataʻitaʻiga e laʻititi i le lapopoa, maualuga i le bandwidth, ma faigofie ona tuʻufaʻatasia i luga o le masini ma isi masini optoelectronic, o le taulaiga suʻesuʻe lea o le maualuga-saosaoa photodetection. ma e sili ona fa'aalia photodetectors i le vaega feso'ota'iga latalata-infrared.
InGaAs o se tasi o mea sili ona lelei mo le ausiaina o le saoasaoa maualuga maphotodetectors tali maualuga. Muamua, o le InGaAs o se mea faʻapipiʻi faʻapipiʻi tuusaʻo, ma o lona lautele lautele e mafai ona faʻatonutonuina e le fua faatatau i le va o In ma Ga, e mafai ai ona maua faʻailoga mataʻutia o galu eseese. Faatasi ai ma i latou, In0.53Ga0.47As e fetaui lelei ma le InP substrate lattice ma e maualuga tele le faʻaogaina o le malamalama i totonu o le fusi o fesoʻotaʻiga. E sili ona faʻaaogaina i le sauniuniga o le photodetector ma o loʻo i ai foʻi le sili ona mataʻina o le pogisa ma le faʻatinoga o gaioiga. Lona lua, o mea uma a InGaAs ma InP e maualuga tele le saosaoa o le eletise, ma o latou saosaoa fa'aeletonika tumu e tusa ma le 1x107cm/s. I le taimi nei, i lalo o fanua eletise faʻapitoa, InGaAs ma InP mea faʻaalia e faʻaalia ai le saoasaoa o le eletise, faʻatasi ai ma o latou saoasaoa e oʻo atu i le 4 × 107cm / s ma le 6 × 107cm / s. E fetaui lelei i le ausiaina o le maualuga o le bandwidth crossing. I le taimi nei, o InGaAs photodetectors o ata sili ona masani mo fesoʻotaʻiga mata. Laiti-laiti, tua-faalavelave, ma le maualuga-bandwidth i luga o faʻalavelave faʻalavelave faʻafuaseʻi ua atiaʻe foi, e masani ona faʻaaogaina i talosaga e pei o le saoasaoa maualuga ma le maualuga maualuga.
Ae ui i lea, ona o le tapulaʻa o latou auala faʻapipiʻi, e faigata ona faʻapipiʻi faʻatasi ma isi masini optoelectronic. O le mea lea, faʻatasi ai ma le faʻateleina o le manaʻoga mo le tuʻufaʻatasia optoelectronic, faʻasolosolo faʻatasi ma InGaAs photodetectors faʻatasi ai ma faʻatinoga lelei ma talafeagai mo le tuʻufaʻatasia ua faasolosolo malie lava ona avea ma taulaiga o suʻesuʻega. Faatasi ai ma i latou, pisinisi InGaAs photodetector modules o le 70GHz ma le 110GHz toetoe lava faʻaaogaina uma fausaga faʻapipiʻi faʻataʻavalevale. E tusa ai ma le eseʻesega o mea e faʻaaogaina, faʻataʻitaʻiga faʻatasi ma InGaAs photodetectors e mafai ona faʻavasegaina i ni ituaiga se lua: INP-faʻavae ma Si-faʻavae. O mea epitaxial i luga ole InP substrates e maualuga lona uiga ma e sili atu ona talafeagai mo le fausiaina o masini maualuga. Ae ui i lea, mo meafaitino III-V o loʻo faʻatupuina pe faʻapipiʻiina i luga o Si substrates, ona o le tele o mea le fetaui i le va o mea InGaAs ma Si substrates, o le meafaitino poʻo le atinaʻe lelei e matua leaga lava, ma o loʻo i ai pea le avanoa e faʻaleleia atili ai le faʻatinoga o masini.
O lo'o fa'aogaina e le masini le InGaAsP nai lo le InP e fai ma mea e fa'aleagaina ai le itulagi. E ui lava e faʻaitiitia ai le saoasaoa o le saosaoa o le eletise i se tulaga faʻapitoa, e faʻaleleia ai le fesoʻotaʻiga o le malamalama faʻafuaseʻi mai le taʻavale i le vaega o le absorption. I le taimi lava e tasi, o le InGaAsP N-type contact layer ua aveese, ma o se tamai va e faia i itu taʻitasi o le P-ituaiga luga, faʻaleleia lelei le faʻalavelave i luga o le malamalama. E fetaui lelei i le masini e ausia ai se tali maualuga atu.
Taimi meli: Iul-28-2025