Alualu i Luma o SuesuegaMea e iloa ai ata o le InGaAs
Faatasi ai ma le tuputupu aʻe tele o le tele o faʻamatalaga fesoʻotaʻiga, ua suia ai e le tekinolosi fesoʻotaʻiga opitika le tekinolosi fesoʻotaʻiga eletise masani ma ua avea ma tekinolosi autū mo fesiitaiga saoasaoa maualalo ma mamao. I le avea ai ma vaega autū o le pito e talia ai le opitika, o lemasini e iloa ai ataua faʻateleina manaʻoga mo lana faʻatinoga saoasaoa maualuga. Faatasi ai ma ia mea, o le waveguide coupled photodetector e laʻititi lona lapoʻa, maualuga le bandwidth, ma faigofie ona tuʻufaʻatasia i luga o le chip ma isi masini optoelectronic, o le taulaʻiga lea o suʻesuʻega o le high-speed photodetection. ma o photodetectors sili ona faʻatusalia i le near-infrared communication band.
O le InGaAs o se tasi o mea sili ona lelei mo le ausiaina o le saoasaoa maualuga ma lemasini e iloa ai ata e tali vave. Muamua, o le InGaAs o se mea semiconductor e tu'usa'o le bandgap, ma e mafai ona fa'atonutonuina lona lautele o le bandgap e le fua fa'atatau i le va o le In ma le Ga, e mafai ai ona iloa fa'ailo opitika o galu eseese. I totonu o ia mea, o le In0.53Ga0.47As e fetaui lelei ma le InP substrate lattice ma e maualuga tele le coefficient o le mitiia o le malamalama i le optical communication band. O le mea sili ona fa'aaogaina i le sauniuniga o le photodetector ma e sili atu fo'i ona mata'ina le fa'atinoga o le dark current ma le responsivity. Lua, o mea uma e lua o le InGaAs ma le InP e maualuga tele le saoasaoa o le electron drift, fa'atasi ai ma le saoasaoa o le saturated electron drift e tusa ma le 1 × 107 cm/s. I le taimi nei, i lalo o fanua eletise fa'apitoa, o mea o le InGaAs ma le InP e fa'aalia ai aafiaga o le electron velocity overshoot, fa'atasi ai ma le saoasaoa o le overshoot e o'o atu i le 4 × 107 cm/s ma le 6 × 107 cm/s. E fesoasoani i le ausiaina o se bandwidth sili atu ona maualuga. I le taimi nei, o le InGaAs photodetectors o le photodetectors sili ona lauiloa mo feso'ota'iga opitika. Ua fa'atupuina fo'i masini e iloa ai mea e tutupu i luga o le fogaeleele e laiti teisi, e toe fo'i i tua, ma e maualuga le bandwidth, e fa'aaogaina tele i galuega e pei o le saoasaoa maualuga ma le saturation maualuga.
Peita’i, ona o tapula’a o a latou metotia fa’apipi’i, e faigata ona fa’apipi’i masini fa’ailoilo o luga ma isi masini optoelectronic. O le mea lea, fa’atasi ai ma le fa’atupula’ia o le mana’oga mo le fa’apipi’iina o le optoelectronic, o masini fa’ailoilo o le InGaAs e fa’apipi’i ai le waveguide e sili ona lelei le fa’atinoga ma talafeagai mo le fa’apipi’iina ua faasolosolo malie lava ona avea ma taula’iga o su’esu’ega. I totonu o na mea, o masini fa’ailoilo o le InGaAs fa’apisinisi e 70GHz ma le 110GHz e toetoe lava o lo’o fa’aaogaina uma fausaga fa’apipi’i o le waveguide. E tusa ai ma le eseesega o meafaitino o le substrate, e mafai ona vaevaeina masini fa’ailoilo o le InGaAs e fa’apipi’i ai le waveguide i ni ituaiga se lua: fa’avae i le INP ma fa’avae i le Si. O meafaitino epitaxial i luga o substrates InP e maualuga le lelei ma e sili atu ona talafeagai mo le fausiaina o masini fa’atino maualuga. Peita’i, mo meafaitino o le vaega III-V e totoina pe fa’apipi’i i luga o substrates Si, ona o le tele o mea e le fetaui i le va o meafaitino InGaAs ma substrates Si, o le lelei o meafaitino po’o le interface e le lelei tele, ma e tele lava avanoa mo le fa’aleleia atili o le fa’atinoga o masini.
E fa'aaogā e le masini le InGaAsP nai lo le InP e fai ma meafaitino o le vaega o le fa'aitiitia. E ui lava e fa'aitiitia ai le saoasaoa o le tafe o le eletise i se tulaga patino, ae e fa'aleleia atili ai le feso'ota'iga o le malamalama mai le ta'iala o galu i le vaega o le mitiia. I le taimi lava e tasi, e aveeseina ai le vaega fa'afeso'ota'i o le ituaiga-N o le InGaAsP, ma faia ai se avanoa la'ititi i itu ta'itasi o le fogāeleele ituaiga-P, ma fa'aleleia atili ai le fa'atapula'aina o le fanua malamalama. E fesoasoani i le masini e ausia ai se tali maualuga.

Taimi na lafoina ai: Iulai-28-2025




