Fa'ata'ita'i ata-fotonua malepe i le 80% lelei fa'amaufa'ailoga
tasi-photonfa'ata'ita'i atao loʻo faʻaaogaina lautele i le fanua o quantum photonics ma tasi-photon imaging ona o latou tulaga faʻapitoa ma taugofie, ae o loʻo latou faʻafeagai ma faʻataʻitaʻiga faʻapitoa nei.
Fa'agata fa'atekinisi i le taimi nei
1.CMOS ma le manifinifi-junction SPAD: E ui lava o loʻo i ai le maualuga o le tuʻufaʻatasia ma le maualalo o le taimi jitter, o le absorption layer e manifinifi (nai micrometers), ma o le PDE e faʻatapulaʻaina i le itulagi lata ane-infrared, e na o le 32% i le 850 nm.
2. Mafiafia-so'oga SPAD: O lo'o fa'aalia ai se vaega fa'afefete e sefulu micrometer le mafiafia. O oloa faʻapisinisi e iai le PDE e tusa ma le 70% ile 780 nm, ae o le malepelepe ile 80% e matua faigata lava.
3. Faitau fa'atapula'a ta'amilosaga: O le SPAD mafiafia-so'oga e mana'omia le maualuga o le volita e sili atu i le 30V e fa'amautinoa ai le maualuga o le avalance. E oo lava i le tineia voltage o le 68V i taʻaloga masani, o le PDE e mafai ona faʻateleina i le 75.1%.
Fofo
Fa'alelei le fausaga semiconductor o le SPAD. Fuafuaga fa'amalama i tua: Fa'alavelave fa'alavelave fa'ato'a pala i le kasikoni. O le fausaga faʻamalama i tua e faʻamautinoa ai o le tele o photons o loʻo faʻafefe i totonu o le absorption layer, ma o le eletise gaosia e tui i totonu o le avalanche region. Ona o le fua o le ionization o electrons i le silicon e maualuga atu nai lo pu, o le tui eletise e maua ai se avanoa maualuga atu o avalanche. Doping taui avalanche itulagi: E ala i le faʻaaogaina o le faʻasalalauga faifaipea o le boron ma le phosphorus, o le doping papaʻu e totogi e faʻapipiʻi ai le eletise i totonu o le itulagi loloto ma le itiiti ifo o faʻaletonu tioata, faʻaitiitia lelei le pisa e pei o le DCR.
2. Malaga maualuga le faitau tusi. 50V maualuga amplitude tinei Suiga setete vave; Fa'atonuga tele: E ala i le tu'ufa'atasia o le FPGA fa'atonutonu QUENCHING ma RESET fa'ailoga, fetu'una'i fesuia'iga i le va o le fa'agaioiga fua (fa'ailoga fa'ailoga), gating (fa'avale GATE i fafo), ma auala fa'afefiloi e ausia.
3. Sauniuniga masini ma afifiina. Ua fa'aaogaina le fa'agasologa o le wafer SPAD, fa'atasi ai ma le afifi pepe. O le SPAD o lo'o fa'apipi'iina i le AlN carrier substrate ma fa'apipi'i tu'usa'o i luga o le thermoelectric cooler (TEC), ma e maua le fa'atonutonuina o le vevela e ala i se thermistor. O filo opitika multimode e fetaui tonu ma le nofoaga tutotonu o le SPAD e maua ai le sooga lelei.
4. Fa'atonuga fa'atinoga. Sa fa'atinoina le fa'avasegaina i le fa'aaogaina o le 785 nm picosecond pulsed laser diode (100 kHz) ma se taimi-numera converter (TDC, 10 ps resolution).
Aotelega
E ala i le faʻaleleia atili o le fausaga SPAD (fesoʻotaʻiga mafiafia, faʻamalamalamaina i tua, taui doping) ma le faʻafouina o le 50 V quenching circuit, o lenei suʻesuʻega na manuia ai le tuleia o le PDE o le suʻesuʻega tasi-photon e faʻavae i le silicon i se maualuga fou o le 84.4%. Pe a faʻatusatusa i oloa faʻapisinisi, o lona faʻatinoga atoatoa ua matua faʻaleleia, tuʻuina atu fofo aoga mo talosaga e pei o fesoʻotaʻiga quantum, quantum computing, ma faʻataʻitaʻiga maualuga-maaleale e manaʻomia ai le maualuga-maualuga lelei ma le faʻaogaina o gaioiga. O lenei galuega ua fa'ataatia ai se fa'avae mautu mo le fa'alauteleina o le fa'avaeina o le silikonitasi-photon detectortekinolosi.
Taimi meli: Oke-28-2025