Le su'esu'ega lata mai i laisa semiconductor lua-lanu

Le su'esu'ega lata mai i laisa semiconductor lua-lanu

Semiconductor disc lasers (SDL lasers), e lauiloa foi o le tu'u i fafo pito i luga-emitting lasers (VECSEL), ua tosina mai le tele o le gauai i tausaga talu ai nei. E tu'ufa'atasia le lelei o le semiconductor gain ma resonators malo. E le gata ina fa'amalieina le fa'agataina o le vaega o le fa'asao o le lagolago tasi-mode mo lasers semiconductor masani, ae o lo'o fa'aalia ai fo'i se mamanu fetuutuunai semiconductor bandgap ma uiga maualuga o mea e maua. E mafai ona vaʻaia i le tele o faʻataʻitaʻiga faʻaoga, e pei o le maualalo o le pisaleisa vaapiapi-laina lautelegaluega faatino, ultra-pu'upu'u maualuga-toe fai fa'atupu pulusi, fa'atonuga maualuga fa'atupu fa'atasi, ma le sodium ta'iala fetu tekonolosi, ma isi. Fa'atasi ai ma le alualu i luma o tekinolosi, ua tu'uina atu mana'oga maualuga atu mo lona galu umi fetu'una'i. Mo se fa'ata'ita'iga, lua-umi fa'apogai malamalama puna'oa ua fa'aalia le maualuga tele o le fa'aoga i matā'upu o lo'o tula'i mai e pei ole anti-interference lidar, holographic interferometry, wavelength division multiplexing communication, mid-infrared or terahertz generation, ma multi-color optical frequency selu. E fa'afefea ona ausia le maualuga o le susulu lua-lanu emisi i le semiconductor disc lasers ma lelei le taofiofia o le maua o tauvaga i le tele o galu umi o se mea faigata su'esu'e i lenei matata.

Talu ai nei, se lua-lanuleisa semiconductor'au i Saina ua tu'uina atu se mamanu fou o chip e fa'afetaui ai lenei lu'itau. E ala i su'esu'ega fa'anumera loloto, na latou iloa ai o le fa'atonutonu tonu o le fa'aogaina o le vevela e feso'ota'i ma le su'esu'ega quantum well gain filtering ma semiconductor microcavity filtering a'afiaga e fa'amoemoe e maua ai le fa'atonutonu fetu'una'i o tupe maua lua-lanu. Faʻavae i luga o lenei mea, na faʻatautaia lelei e le 'au se 960/1000 nm maualuga-malamalama maua pu. O lenei leisa o lo'o fa'agaoioia i le faiga fa'avae e lata ane i le fa'atapula'aina o le fa'atapula'aina, fa'atasi ai ma le maualuga o le susulu e tusa ma le 310 MW/cm²sr.

O le vaega maua o le tisiki semiconductor e na o ni nai micrometers mafiafia, ma o se Fabry-Perot microcavity ua faia i le va o le semiconductor-ea interface ma le pito i lalo tufatufaina Bragg reflector. O le fa'aogaina o le microcavity semiconductor e pei o le fa'amama fa'apitoa o le va'a o le a fa'aogaina ai le maua o le quantum lelei. I le taimi nei, o le microcavity filtering effect ma semiconductor gain e eseese fua faatatau o le vevela. Faʻatasi ma le pulea o le vevela, e mafai ona ausia le suiga ma le faʻatonutonuina o galu o galu. Faʻavae i luga o nei uiga, na fuafuaina e le 'au ma faʻatulagaina le maualuga o le aofaʻi lelei i le 950 nm i le 300 K vevela, faʻatasi ai ma le fua faatatau o le vevela o le umi o le galu e tusa ma le 0.37 nm / K. Mulimuli ane, na mamanuina e le 'au le faʻalavelave umi o le pu e faʻaaoga ai le faʻaogaina o le matrix, faʻatasi ai ma le maualuga o le galu e tusa ma le 960 nm ma le 1000 nm. O faʻataʻitaʻiga na faʻaalia ai o le fua faatatau o le vevela e naʻo le 0.08 nm / K. E ala i le fa'aogaina o masini fa'a'au'au fa'ama'i u'amea-organic mo le fa'atupuina o le epitaxial ma fa'aauau pea le fa'amalieina o le fa'agasologa o le tuputupu a'e, sa fa'amanuiaina lelei meataalo maua maualuga. Ole fua ole fua ole photoluminescence e matua'i ogatasi ma fa'ata'ita'iga i'uga. Ina ia faʻaitiitia le mamafa o le vevela ma ausia le maualuga o le eletise, o le semiconductor-diamond chip packaging process ua faʻalauteleina.

Ina ua maeʻa le afifiina o chip, na faia e le 'au se iloiloga atoatoa o lana gaioiga laser. I le fa'aauau pea o le fa'agaioiga, e ala i le fa'atonutonuina o le pamu po'o le vevela vevela, e mafai ona fetu'una'i le umi o le galu emisi i le va o le 960 nm ma le 1000 nm. Pe a oʻo i le mana pamu i totonu o se vaega faʻapitoa, e mafai foi e le laser ona ausia le faʻaogaina o le galu-lua, faʻatasi ai ma se vaeluaga o le galu e oʻo atu i le 39.4 nm. I le taimi nei, o le maualuga o le malosi o le galu faifai pea e oʻo atu i le 3.8 W. I le taimi nei, o loʻo galue le laser i le faiga faʻavae e lata ane i le faʻatapulaʻaina o faʻatapulaʻa, faʻatasi ai ma le tulaga lelei o le beam M² na o le 1.1 ma le susulu maualuga e tusa ma le 310 MW/cm²sr. Sa fa'atautaia fo'i e le 'au su'esu'ega i le fa'atinoga o galu fa'aauau pea o leleisa. O le aofaʻi o faʻailoga faʻasolosolo na mataʻituina ma le manuia e ala i le faʻaofiina o le LiB₃O₅ nonlinear tioata tioata i totonu o le resonant cavity, faʻamaonia le tuʻufaʻatasia o galu lua.

E ala i lenei mamanu poto, ua ausia le tuufaatasiga o le quantum well gain filtering ma microcavity filtering, faataatia se faavae mamanu mo le iloaina o punaoa laser lua-lanu. E tusa ai ma faʻailoga faʻatinoga, o lenei masini e tasi-lua-lanu leisa e maua ai le maualuga o le susulu, maualuga le fetuutuunai ma le saʻo o le faʻaulu faʻaulu. O lona susulu o loʻo i le tulaga faʻavaomalo taʻutaʻua i le tulaga o loʻo i ai nei o lasers semiconductor lua-lanu kipi e tasi. I le tulaga o le fa'atinoga fa'atino, o lenei taunu'uga e fa'amoemoe e fa'aleleia atili ai le sa'o sa'o ma le fa'alavelave fa'alavelave ole lidar lanu-lanu i totonu o si'osi'omaga lavelave e ala i le fa'aogaina o lona malamalama maualuga ma uiga lua-lanu. I le tulaga o selu fa'avavevave, o lona fa'amautu lua-umi galu e mafai ona maua ai le lagolago taua mo fa'aoga e pei o le sa'o o le fua fa'atatau ma le fa'alogoina opitika maualuga.