O le a le asemiconductor fa'amalosi mata
O le semiconductor optical amplifier o se ituaiga o optical amplifier lea e fa'aogaina ai le semiconductor gain medium. E talitutusa ma le laser diode, lea e sui ai le faʻata i le pito i lalo i se faʻapipiʻi semi-reflective. O le moli fa'ailo e fa'asalalauina e ala i se ta'iala fa'asolo tasi semiconductor. Ole fua fa'alava ole ta'iala e 1-2 micrometers ma lona umi ole fa'atonuga ole 0.5-2mm. O le ta'iala fa'afefete e i ai se fa'aoga tele ma le vaega galue (fa'ateleina), lea e pamu e le taimi nei. O le taimi nei tui e fa'atupuina ai se fa'atonuga fa'apitoa i totonu o le fa'aupuga fa'aulu, fa'ataga ai le suiga fa'apitoa o le fa'a'au fa'aulu i le pa'u valence. O le maualuga maualuga e tupu pe a sili atu le malosi o le photon nai lo le malosi o le fusi. SOA fa'apipi'i fa'apipi'i e masani ona fa'aogaina i faiga fa'afeso'ota'i i foliga o pua'a, fa'atasi ai ma le umi o le galu fa'agaoioi ile 1300nm po'o le 1500nm, e maua ai pe tusa ma le 30dB o tupe maua.
O leSOA semiconductor fa'amalosi mataose PN junction masini fa'atasi ai ma se fa'aputuga vaieli quantum. O le fa'aituau i luma i fafo e fesuia'i ai le aofa'i o vaega dielectric. A mae'a ona ulu atu le moli fa'aoso i fafo, e fa'atupuina le fa'avevela fa'aosofia, ma ausia ai le fa'ateleina o fa'ailo fa'apitoa. O fa'agasologa uma o le fa'aliliuga malosi e tolu o lo'o i luga o lo'o iai i totonuSOA fa'amalosi mata. O le fa'alauteleina o fa'ailo fa'apitoa e fa'avae i luga o le fa'aoso fa'amalosi. O fa'agaioiga fa'aoso fa'aoso ma fa'aoso fa'aoso o lo'o iai i le taimi e tasi. E mafai ona faʻaogaina le faʻamalosia o le faʻaogaina o le moli pamu e faʻavavevave ai le toe faʻaleleia o ave taavale, ma i le taimi lava e tasi, e mafai e le pamu eletise ona tuʻuina atu eletise i se maualuga maualuga o le malosi (conduction band). A fa'ateleina le fa'avevela fa'afuase'i, o le a fa'atupuina le pisa fa'avevela fa'ateteleina. SOA fa'apipi'i fa'apitoa e fa'avae i luga ole meataalo semiconductor.
Semiconductor chips e aofia ai semiconductor compound, e pei o GaAs / AlGaAs, InP / AlGaAs, InP / InGaAsP ma InP / InAlGaAs, ma isi. O mea foi ia mo le faia o lasers semiconductor. O le faʻataʻitaʻiga faʻataʻitaʻiga o le SOA e tutusa pe tutusa ma le lasers. O le eseesega o loʻo taoto i le mea e manaʻomia e le laser e fausia ai se pu faʻataʻamilomilo i luga o le auala maua e faʻatupuina ma tausia le oscillation o le faailo opitika. O le fa'ailoga opitika o le a fa'ateleina fa'atele i totonu o le lua a'o le'i fa'aulufaleina. I totonuSOA fa'amalosi(o le mea o loʻo tatou talanoaina iinei e faʻatapulaʻa i le faʻaogaina o galu o loʻo faʻaaogaina i le tele o faʻaoga), e manaʻomia e le malamalama e tasi ona ui atu i le auala faʻaogaina, ma o le ata i tua e laʻititi. O le SOA amplifier structure e aofia ai vaega e tolu: Area P, Area I (vaega malosi poʻo node), ma le Area N. O le vaega galue e masani lava ona aofia ai quantum Wells, lea e mafai ona faʻaleleia atili ai le faʻaogaina o le photoelectric ma faʻaitiitia ai le tulaga o loʻo i ai nei.
Ata 1 Fiber laser fa'atasi ai ma SOA tu'ufa'atasia mo le fa'atupuina o pusi mata
Fa'aoga ile fesiitaiga ole alalaupapa
SOA e masani lava e le gata e faʻaogaina i le faʻalauteleina: e mafai foi ona faʻaaogaina i le matata o fesoʻotaʻiga fiber opitika, talosaga e faʻavae i luga o faiga e le faʻaogaina e pei o le saturation gain poʻo le cross-phase polarization, lea e faʻaaogaina ai le fesuiaiga o le faʻaogaina o le vaʻavaʻa i le SOA optical amplifier e maua mai ai faʻailoga faʻailoga eseese. O nei a'afiaga e mafai ona fa'aogaina i le fa'aliliuina o alalaupapa (fa'aliliuga o le umi o le galu), suiga o le fa'atulagaina o suiga, toe fa'aleleia o le uati, toe fa'afouina o fa'ailoga ma fa'ailoga mamanu, ma isi.
Faatasi ai ma le alualu i luma o le optoelectronic integrated circuit technology ma le faʻaitiitia o tau o gaosiga, o le a faʻaauau pea ona faʻalauteleina le faʻaogaina o fanua ole SOA semiconductor optical amplifier e pei o faʻavae faʻavae, masini faʻaogaina ma vaega o le subsystem.
Taimi meli: Iuni-23-2025