Suʻesuʻega fou i luga o le masini e iloa ai ata manifinifi tele o le InGaAs

Suʻesuʻega fou i luga o le manifinifi teleMea e iloa ai ata o le InGaAs
O le alualu i luma o tekinolosi o ata o le short-wave infrared (SWIR) ua tele sona sao i faiga o le vaai i le po, asiasiga tau alamanuia, suesuega faasaienisi, puipuiga o le saogalemu ma isi vaega. Faatasi ai ma le faateleina o le manaoga mo le iloa e sili atu nai lo le malamalama vaaia, o le atinaeina o sensors o ata o le short-wave infrared o loo faateleina pea lava pea. Peitai, o le ausiaina o le maualuga o le iugafono ma le maualalo o le pisamasini e iloa ai le lautele o le vaega o atao loʻo feagai pea ma le tele o luʻitau faʻatekinolosi. E ui lava e mafai e le InGaAs short-wave infrared photodetector masani ona faʻaalia le lelei tele o le photoelectric conversion efficiency ma le mobile carrier, ae o loʻo i ai se feteenai taua i le va o latou faʻailoga autu o le faʻatinoga ma le fausaga o le masini. Ina ia maua se quantum efficiency maualuga (QE), o mamanu masani e manaʻomia ai se absorption layer (AL) e 3 micrometers pe sili atu, ma o lenei mamanu fausaga e oʻo atu ai i faʻafitauli eseese.
Ina ia faʻaitiitia le mafiafia o le vaega mitiia (TAL) i le InGaAs short-wave infraredmasini e iloa ai ata, o le tauia o le faʻaitiitia o le mitiia i galu uumi e taua tele, aemaise lava pe a oʻo atu le mafiafia o le vaega mitiia o vaega laiti i le le lava o le mitiia i le vaega uumi o galu. O loʻo faʻaalia i le Ata 1a le metotia o le tauia o le mafiafia o le vaega mitiia o vaega laiti e ala i le faʻalauteleina o le auala mitiia opitika. O lenei suʻesuʻega e faʻaleleia atili ai le quantum efficiency (QE) i le fusi infrared galu pupuu e ala i le faʻalauiloaina o se fausaga TiOx/Au-based guided mode resonance (GMR) i le pito i tua o le masini.


Pe a faʻatusatusa i fausaga masani o le planar metal reflection, e mafai e le guided mode resonance structure ona faʻatupuina ni aafiaga tele o le resonance absorption, ma faʻaleleia atili ai le lelei o le mitiia o le malamalama uumi-wavelength. Na faʻaleleia e le au suʻesuʻe le mamanu autu o le guided mode resonance structure, e aofia ai le vaitaimi, le tuufaatasiga o meafaitino, ma le faʻatumuina o le faʻatumu, e ala i le metotia faigata o le coupled-wave analysis (RCWA). O le iʻuga, o lenei masini e faʻatumauina pea le lelei o le mitiia i le short-wave infrared band. I le faʻaaogaina o lelei o meafaitino InGaAs, na suʻesuʻeina foʻi e le au suʻesuʻe le tali atu o le spectral e faʻatatau i le fausaga o le substrate. O le faʻaitiitia o le mafiafia o le vaega mitiia e tatau ona o faʻatasi ma le faʻaitiitia o le EQE.
I le faaiuga, o lenei suʻesuʻega na manuia ai le atinaʻeina o se masini suʻesuʻe InGaAs e naʻo le 0.98 micrometers le mafiafia, lea e sili atu ma le 2.5 taimi e manifinifi nai lo le fausaga masani. I le taimi lava e tasi, e tausia ai se quantum efficiency e silia ma le 70% i le 400-1700 nm wavelength range. O le ausiaina o le ultra-thin InGaAs photodetector e maua ai se auala fou faʻapitoa mo le atinaʻeina o masini suʻesuʻe ata lautele e maualuga le iugafono, maualalo le pisa. O le taimi vave o felauaiga o avefeʻau e aumaia e le mamanu o le ultra-thin structure e faʻamoemoeina e faʻaitiitia ai le crosstalk eletise ma faʻaleleia atili ai uiga tali o le masini. I le taimi lava e tasi, o le fausaga faʻaitiitia o le masini e sili atu ona fetaui mo le tekinolosi tuʻufaʻatasia o le tasi-chip three-dimensional (M3D), ma faʻataʻatia ai le faʻavae mo le ausiaina o pixel arrays maualuga-density.


Taimi na lafoina ai: Fepuari-24-2026