OFC2024 photodetectors

O le asō, se'i o tatou tilotilo i le OFC2024photodetectors, lea e aofia ai le GeSi PD/APD, InP SOA-PD, ma le UTC-PD.

1. Ua iloa e le UCDAVIS se Fabry-Perot e le tutusa le resonant vaivai 1315.5nmmasini e iloa ai atama le capacitance laʻititi tele, e fuafua i le 0.08fF. A oʻo le bias i le -1V (-2V), o le tafe pogisa e 0.72 nA (3.40 nA), ma o le fua faatatau o le tali atu e 0.93a /W (0.96a /W). O le malosiaga opitika faʻatumuina e 2 mW (3 mW). E mafai ona lagolagoina faʻataʻitaʻiga faʻamaumauga saoasaoa maualuga e 38 GHz.
O le ata o loʻo mulimuli mai o loʻo faʻaalia ai le fausaga o le AFP PD, lea e aofia ai se waveguide ua faʻapipiʻiina i le Ge-on-Si photodetectorfa'atasi ai ma se ta'iala galu SOI-Ge pito i luma e ausia ai le > 90% o le fa'afetaui o le faiga ma se fa'ata'ita'iga o le <10%. O le pito i tua o se fa'ata'ita'iga Bragg tufatufaina (DBR) fa'atasi ai ma se fa'ata'ita'iga o le >95%. E ala i le mamanu fa'alelei o le lua (tulaga fa'afetaui o le vaega ta'amilosaga), e mafai ona fa'aumatia le fa'ata'ita'iga ma le fa'asalalauina o le resonator AFP, ma i'u ai i le mitiia o le Ge detector i le toetoe lava 100%. I luga o le bandwidth atoa o le 20nm o le galu tutotonu, R+T <2% (-17 dB). O le lautele o le Ge e 0.6µm ma o le capacitance e fa'atatauina e 0.08fF.

2, na gaosia e le Iunivesite o Saienisi ma Tekonolosi a Huazhong se silicon germaniumphotodiode o le solo o le ava, bandwidth >67 GHz, gain >6.6. O le SACMMea e iloa ai ata o le APDO le fausaga o le transverse pipin junction ua fausia i luga o se silicon optical platform. O le intrinsic germanium (i-Ge) ma le intrinsic silicon (i-Si) e fai ma vaega e mitiia ai le malamalama ma le electron doubling layer, i le faasologa. O le i-Ge region e 14µm le umi e mautinoa ai le lava o le mitiia o le malamalama i le 1550nm. O vaega laiti o le i-Ge ma le i-Si e fesoasoani i le faateleina o le photocurrent density ma faalauteleina le bandwidth i lalo o le bias voltage maualuga. O le APD eye map na fuaina i le -10.6 V. Faatasi ai ma le input optical power o le -14 dBm, o le eye map o le 50 Gb/s ma le 64 Gb/s OOK signals o loʻo faʻaalia i lalo, ma o le SNR na fuaina e 17.8 ma le 13.2 dB, i le faasologa.

3. O lo'o fa'aalia i nofoaga fa'ata'ita'i o le laina fa'ata'ita'i IHP 8-inisi BiCMOS se germaniumMea e iloa ai le ata o le PDma le lautele o le fin e tusa ma le 100 nm, lea e mafai ona faʻatupuina ai le eletise aupito maualuga ma le taimi puʻupuʻu o le photocarrier drift. O le Ge PD e iai le OE bandwidth o le 265 GHz@2V@ 1.0mA DC photocurrent. O loʻo faʻaalia i lalo le tafe o le faagasologa. O le vaega sili ona taua o le tuʻua lea o le SI mixed ion implantation masani, ma ua faʻaaogaina le growth etching scheme e aloese ai mai le faatosinaga o le ion implantation i luga o le germanium. O le pogisa o le 100nA,R = 0.45A /W.
4, o loʻo faʻaalia e le HHI le InP SOA-PD, e aofia ai le SSC, MQW-SOA ma le photodetector saoasaoa maualuga. Mo le O-band. O le PD e iai le tali atu o le 0.57 A/W ma le itiiti ifo i le 1 dB PDL, ae o le SOA-PD e iai le tali atu o le 24 A/W ma le itiiti ifo i le 1 dB PDL. O le bandwidth o ia mea e lua e ~60GHz, ma o le eseesega o le 1 GHz e mafai ona mafua mai i le resonance frequency o le SOA. E leai se aafiaga o le mamanu na vaaia i le ata moni o le mata. O le SOA-PD e faʻaitiitia ai le malosiaga opitika manaʻomia e tusa ma le 13 dB i le 56 GBaud.

5. E fa'atinoina e le ETH le GaInAsSb/InP UTC-PD ua fa'aleleia atili i le Ituaiga II, fa'atasi ai ma le bandwidth o le 60GHz @ zero bias ma le malosi maualuga o le output o le -11 DBM i le 100GHz. Fa'aauauga o taunu'uga muamua, fa'aaogaina le gafatia fa'aleleia o le felauaiga o eletise a le GaInAsSb. I totonu o lenei pepa, o vaega fa'aleleia atili o le absorption e aofia ai le GaInAsSb ua tele le doped o le 100 nm ma le GaInAsSb e le'i doped o le 20 nm. O le vaega NID e fesoasoani e fa'aleleia atili ai le tali atu lautele ma fesoasoani fo'i e fa'aitiitia le capacitance lautele o le masini ma fa'aleleia atili ai le bandwidth. O le 64µm2 UTC-PD e iai le bandwidth zero-bias o le 60 GHz, o le malosiaga o le output o le -11 dBm i le 100 GHz, ma le saturation current o le 5.5 mA. I le reverse bias o le 3 V, e fa'ateleina le bandwidth i le 110 GHz.

6. Na faʻatuina e Innolight le faʻataʻitaʻiga o le tali atu o le tele o le germanium silicon photodetector i luga o le faʻavae o le mafaufau atoatoa i le faʻaaogaina o le masini, le tufatufaina atu o le eletise ma le taimi e faʻaliliuina ai le avefeʻau e gaosia e le ata. Ona o le manaʻomia o le malosi tele e ulufale mai ai ma le bandwidth maualuga i le tele o faʻaoga, o le tele o le malosiaga opitika e ulufale mai ai o le a mafua ai ona faʻaitiitia le bandwidth, o le faiga sili ona lelei o le faʻaitiitia lea o le maualuga o le avefeʻau i le germanium e ala i le mamanuina o le fausaga.

7, Na mamanuina e le Iunivesite o Tsinghua ni ituaiga se tolu o le UTC-PD, (1) fausaga 100GHz bandwidth double drift layer (DDL) ma le saturation power maualuga UTC-PD, (2) fausaga 100GHz bandwidth double drift layer (DCL) ma le tali vave maualuga UTC-PD, (3) 230 GHZ bandwidth MUTC-PD ma le saturation power maualuga, Mo tulaga eseese o talosaga, o le saturation power maualuga, bandwidth maualuga ma le tali vave maualuga atonu e aoga i le lumanai pe a ulufale atu i le vaitaimi o le 200G.